Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Aby móc używać tonitrus.com w pełnym zakresie, zalecamy aktywowanie Javascript w przeglądarce.

Sie haben Interesse an Service- und Wartungsverträgen oder günstigen Leasingangeboten? Wir beraten Sie gerne!

Podgląd: Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Podgląd: Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Podgląd: Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Numer artykułu: 10266115-014

Czy masz jakieś pytania dotyczące tego produktu?

3 lata gwarancji
Dostawa następnego dnia za pośrednictwem UPS
Osobisty Specjalista ds. kluczowych klientów
Wsparcie techniczne i konfiguracja

Opis produktu

DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Herstellerinformationen:
Samsung

Informacje o produkcie

Pojemnosc:

8GB

Allgemein
Erweiterungstyp:	Generisch
Kapazität:	8 GB

Speicher
Besonderheiten:	Single Rank, ungepuffert
Chip-Organisation:	1024 x 8
Datenintegritätsprüfung:	Non-ECC
Formfaktor:	SO DIMM 260-PIN
Geschwindigkeit:	2666 MHz (PC4-21300)
Latenzzeiten:	CL19
Modulkonfiguration:	1024 x 64
Spannung:	1.2 V
Technologie:	DDR4 SDRAM
Typ:	DRAM Speichermodul
Zugriffszeit:	0.75 ns

Verschiedenes
Kennzeichnung:	Bleifrei, halogenfrei

Wyświetlony