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Samsung - M393A2K40EB3-CWE - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - registered - ECC
Samsung - M393A2K40EB3-CWE - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - registered - ECC
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Samsung - M471A5244CB0-CTD - 4GB - DDR4-2666 - SO-DIMM - 1.20V
Samsung - M471A5244CB0-CTD - 4GB - DDR4-2666 - SO-DIMM - 1.20V
DDR Velocità: DDR4-2666
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Samsung - M471A5143DB0-CPB - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
Samsung - M471A5143DB0-CPB - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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Hynix - HMA451S6AFR8N-TF - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
Hynix - HMA451S6AFR8N-TF - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
DDR Velocità: DDR4-2133
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Hynix - HMA851S6AFR6N-UH - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
Hynix - HMA851S6AFR6N-UH - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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Hynix - HMA851S6CJR6N-VK - 4 GB - DDR4-RAM - SO-DIMM - PC4-2666V
Hynix - HMA851S6CJR6N-VK - 4 GB - DDR4-RAM - SO-DIMM - PC4-2666V
DDR Velocità: DDR4-2666
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Micron - MTA4ATF51264HZ-2G3B1 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
Micron - MTA4ATF51264HZ-2G3B1 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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Micron - MTA8ATF1G64HZ-2G3E1 - 8GB - DDR4 SODIMM - PC4-2400
Micron - MTA8ATF1G64HZ-2G3E1 - 8GB - DDR4 SODIMM - PC4-2400
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Micron - MTA18ASF1G72PDZ-2G1 - 8GB (1*8GB) 2RX8 PC4-17000P-R DDR4-2133MHZ 1.2V RDIMM
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Micron - MT9KSF25672PZ-1G4M1 - 2GB 1Rx8 PC3L-10600R DDR3-1333MHz
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Samsung - M393A2K43EB3-CWE - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - registered - ECC
Samsung - M393A2K43EB3-CWE - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - registered - ECC
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DDR Velocità: DDR4-3200
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Micron - MTA8ATF1G64AZ-2G6E1 - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
Micron - MTA8ATF1G64AZ-2G6E1 - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
DDR Velocità: DDR4-2666
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