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Micron - MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - ECC
Micron - MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - ECC
DDR Velocità: DDR4-2666
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Dettagli
Samsung - M393A2G40EB1-CPB0Q - 16GB (1*16GB) 2RX4 PC4-17000P-R DDR4-2133MHZ RDIMM
Samsung - M393A2G40EB1-CPB0Q - 16GB (1*16GB) 2RX4 PC4-17000P-R DDR4-2133MHZ RDIMM
DDR Velocità: DDR4-2133
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Hynix - HMA81GU6CJR8N-VK - 8GB - PC4-21300 - DDR4-2666MHz - non-ECC - Unbuffered
Hynix - HMA81GU6CJR8N-VK - 8GB - PC4-21300 - DDR4-2666MHz - non-ECC - Unbuffered
DDR Velocità: DDR4-2666
Rank: Single Rank
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Hynix - HMA41GS6AFR8N-TF - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
Hynix - HMA41GS6AFR8N-TF - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
DDR Velocità: DDR4-2133
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KINGSTON - HP26D4S9S8ME-8 - 8GB PC4-21300 DDR4-2666MHz 1Rx8 Unbuffered SODIMM Memory
KINGSTON - HP26D4S9S8ME-8 - 8GB PC4-21300 DDR4-2666MHz 1Rx8 Unbuffered SODIMM Memory
DDR Velocità: DDR4-2666
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Samsung - M471A1G43DB0 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
Samsung - M471A1G43DB0 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
DDR Velocità: DDR4-2133
Rank: Dual Rank
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Samsung - M471A1G43EB1-CPB - Memory SODIMM DDR4 8GB - 8 GB - DDR4
Samsung - M471A1G43EB1-CPB - Memory SODIMM DDR4 8GB - 8 GB - DDR4
DDR Velocità: DDR4-2400
Rank: Dual Rank
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Hynix - HMA81GS6CJR8N-VK - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
Hynix - HMA81GS6CJR8N-VK - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
DDR Velocità: DDR4-2666
Rank: Single Rank
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Crucial - CT2K16G4DFRA266 - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
Crucial - CT2K16G4DFRA266 - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
DDR Velocità: DDR4-2666
Dimm Tipo: Non bufferizzato
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Fujitsu - S26361-F3934-E515 - 32GB 2Rx4 PC4-19200T DDR4-2400MHz ECC
Fujitsu - S26361-F3934-E515 - 32GB 2Rx4 PC4-19200T DDR4-2400MHz ECC
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Hynix - HMT151R7BFR4C-G7 - DDR3-RAM 4GB PC3-8500R E - 4 GB - 240-Pin - 1,066 MHz - ECC - DIMM - CL7
Hynix - HMT151R7BFR4C-G7 - DDR3-RAM 4GB PC3-8500R E - 4 GB - 240-Pin - 1,066 MHz - ECC - DIMM - CL7
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Kingston - KCP313NS8/4 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
Kingston - KCP313NS8/4 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
DDR Velocità: DDR3-1333
Rank: Single Rank
Dimm Tipo: Non bufferizzato
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