Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Kako biste tonitrus.com mogli koristiti u punom opsegu, preporučujemo vam da aktivirate Javascript u vašem pregledniku.

Otkrijte naše usluge pametnog održavanja i mogućnosti IT leasinga!

Pregled: Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Pregled: Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Pregled: Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Samsung - M471A1K43CB1-CTD - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Br. artikla: 10266115-014

Pitanja o artiklu?

3 godine jamstva
Pošiljka istog dana putem UPS-a
Personalni account amanger
Tehnička podrška i konfiguracija

Zatvori izbornik

Produktbeschreibung

DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC

Herstellerinformationen:
Samsung

Produktinformationen

Capacity:

8GB

Allgemein
Erweiterungstyp:	Generisch
Kapazität:	8 GB

Speicher
Besonderheiten:	Single Rank, ungepuffert
Chip-Organisation:	1024 x 8
Datenintegritätsprüfung:	Non-ECC
Formfaktor:	SO DIMM 260-PIN
Geschwindigkeit:	2666 MHz (PC4-21300)
Latenzzeiten:	CL19
Modulkonfiguration:	1024 x 64
Spannung:	1.2 V
Technologie:	DDR4 SDRAM
Typ:	DRAM Speichermodul
Zugriffszeit:	0.75 ns

Verschiedenes
Kennzeichnung:	Bleifrei, halogenfrei

Zadnje viđeno