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Samsung - MZ-N6E2T0BW - Samsung 860 EVO MZ-N6E2T0BW - 2 TB SSD - intern

Samsung - MZ-N6E2T0BW - Samsung 860 EVO MZ-N6E2T0BW - 2 TB SSD - intern
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Produktbeschreibung

Environmental Parameters
Max Operating Temperature: 70 °C
Min Operating Temperature: 0 °C
Shock Tolerance (operating): 1500 g @ 0.5 ms half-sine
Expansion & Connectivity
Compatible Bay: M.2 2280
Interfaces: 1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
General
Buffer Size: 2 GB
Capacity: 2 TB
Depth: 80.15 mm
Device Type: Solid state drive - internal
Encryption Algorithm: 256-bit AES
Features: Shock resistant, TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256-bit AES, IEEE 1667
Form Factor: M.2 2280
Hardware Encryption: Yes
Height: 2.38 mm
Interface: SATA 6Gb/s
NAND Flash Memory Type: 3D multi-level cell (MLC)
Weight: 8 g
Width: 22.15 mm
Performance
Drive Transfer Rate: 600 MBps (external)
Internal Data Rate: 550 MBps (read) / 520 MBps (write)
Maximum 4KB Random Read: 97000 IOPS
Maximum 4KB Random Write: 88000 IOPS
SSD Endurance: 1200 TB
Power
Power Consumption: 3 Watt (average) ¦ 4.5 Watt (maximum)
Reliability
MTBF: 1,500,000 hours
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